Замовити
Ukrainian English
Шановні клієнти. По технічних причиннах 3, 4, 5-го лютого замовлення відправлятись не будуть. Магазин буде працювати з 9-00 до 14-00. Вибачте за незручності.
Категорії ☰
Категорії
Показати більше...
Показати менше...

Пошук

Пошук:



Товари, що відповідають критеріям пошуку

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 517W, 120(210)A, 600V. Має захисний діод. Для зварювального об..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 300W, 75(150)A, 600V ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 156W, 15A, 1200V. Має захисний діод ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 156W, 15A, 1200V. Має захисний діод ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 15(45)A, 96W ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 336W, 80(120)A, 600V. Має захисний діод. ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 280W, 80(120)A, 600V ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 280W, 80(120)A, 600V. Має захисний діод. ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 403W, 120(180)A, 600V ..
 
Потужний транзистор структури IGBT. 330V, 40A ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 31W, 15(60)A, 650V. ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 650V, 40(80)A, 37W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 30(45)A, 186W. Допускається паралельне з..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 30(45)A, 186W. Допускається паралельне з..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 50(90)A, 312W.  Допускається п..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 30(45)A, 186W. Допускається паралельне з..
 
Потужний транзистор структури IGBT . 650V, 120(180)A, 800W ..