Замовити
Ukrainian English
Категорії ☰

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
MD2310FX /TO-3P-ISO
Транзистор кремнієвий NPN, 62W, 14(21)A, 700V ..
50.00грн
MD5333 /SOT-23
Стабілізатор напруги 3.3V@500mA/. Падіння напруги 1,5mV@1mA ..
7.00грн
MDD7N25 /TO-252
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 56W, 6,2(25)A, 250V. RDS(ON)=0,55 Ohm @VGS = 10..
18.00грн
MDF18N50 /TO-220F MagnaChip
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 45W, 4.5(13)A, 600V. RDS(ON)=2.0 Ohm @VGS = 10V..
58.00грн
MDF2N60TH /TO-220F MagnaChip
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 22.7W, 2(8)A, 600V. RDS(ON)=4.5 Ohm @VGS = 10V ..
24.00грн
MDP1921 /TO-220 MagnaChip
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 223W, 153(480)A, 100V. RDS(ON)=0,0045 Ohm @VGS ..
42.00грн
MDP1922 /TO-220 MagnaChip
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 157W, 97(384)A, 100V. RDS(ON)=0,0084 Ohm @VGS =..
40.00грн
MDP1933 /TO-220 MagnaChip
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 157W, 105(420)A, 80V. RDS(ON)=0,007 Ohm @VGS = ..
40.00грн
MDP1991 /TO-220 MagnaChip
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 223W, 138(480)A, 100V. RDS(ON)=0.0059 Ohm @VGS ..
40.00грн
ME15N10-G /TO-252
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 96W, 15(40)A, 100V. RDS(ON)=0,114 Ohm @VGS = 10..
9.00грн
ME15N25 /TO-252
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 125W, 17,1A,250V. RDS(ON)=0,265 Ohm @VGS = 10V ..
15.00грн
ME20P06 /DPAK
Транзистор польовий структури P-Channel  MOSFET 34W, -30(-50)A, -30V. RDS(ON)=0,061 Ohm @VGS = ..
12.00грн
ME2108A30PG /SOT-89
Мікросхема перетворювача напруги типу DC/DC з підвищенням (Boost, Step-Up). Uout=3.0V ..
40.00грн
ME2108A33PG /SOT-89
Мікросхема перетворювача напруги типу DC/DC з підвищенням (Boost, Step-Up). Uout=3.3V ..
36.00грн
ME2108A50PG /SOT-89
Мікросхема перетворювача напруги типу DC/DC з підвищенням (Boost, Step-Up). Uout=5.0V ..
38.00грн
ME25N06-G /DPAK
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 100W, 35(100)A, 60V. RDS(ON)=0,025 Ohm @VGS = 1..
12.00грн
ME25N10 /DPAK
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 105W, 18(68)A, 100V. RDS(ON)=0,092 Ohm @VGS = 1..
16.00грн