Показувати: Список
/ Сітка
Відображати:
Сортування
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 39W, 12(24)A, 600V. Має захисний діод ULTRAFAST
..
110.00грн
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 40(120)A, 300W
INSULATED GATE BIPOLAR..
80.00грн
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 40(80)A, 220W
INSULATED GATE BIPOLAR T..
110.00грн
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 48(96)A, 250W
INSULATED GATE BIPOLAR T..
155.00грн
Потужний транзистор структури IGBT. 600V, 96(192)A, 330W
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH U..
95.00грн
Потужний транзистор структури IGBT. 600V, 96(192)A, 330W
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH U..
190.00грн
Потужний транзистор структури IGBT. 600V, 96(192)A, 330W
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH U..
95.00грн
Потужний транзистор структури IGBT. 600V, 65(96)A, 250W. Безсвинцевий
..
190.00грн
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 75(150)A, 390W
..
160.00грн
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу.
..
270.00грн
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 24(48)A, 140W.
..
160.00грн
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 48(96)A, 250W.
..
310.00грн
Транзистор польовий структури N-Channel MOSFET 200W, 160(640)A, 40V. RDS(ON)=0,004 Ohm @VGS = ..
110.00грн
Транзистор польовий структури N-Channel MOSFET 230W, 140(790)A, 40V. RDS(ON)=0,0031 Ohm @VGS =..
254.00грн
Транзистор польовий структури N-Channel MOSFET 180W, 116(400)A, 30V. RDS(ON)=0,007 Ohm @VGS = ..
65.00грн
Транзистор польовий структури N-Channel MOSFET 200W, 104(360)A, 55V. RDS(ON)=0.008 Ohm @VGS = ..
120.00грн
Транзистор польовий структури N-Channel MOSFET 45W, 24(96)A, 30V. RDS(ON)=0,04 Ohm @VGS = 10V
..
16.00грн
Транзистор польовий структури N-Channel MOSFET 200W, 55(190)A, 100V. RDS(ON)=0.026 Ohm @VGS = ..
60.00грн