Замовити
Ukrainian English
Категорії ☰

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
GT45F123 /TO-220F
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 300V, 45(200)A. Для плазмових ТВ ..
30.00грн
GT45G122 /TO-220F
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 400V, 45(200)A. Для плазмових ТВ ..
75.00грн
GT50J327 /TO-3PB
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 140W, 29(50)A, 600V.  TOSHIBA Insulated Gate Bipolar T..
320.00грн
GT50JR22 /TO-3P(N) Toshiba
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 230W, 50(100)A, 600V. Має захисний діод  ..
102.00грн
GTB10N60 /TO-220F
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 40W, 20(72)A, 600V ..
58.00грн
H11D2 /DIP-6
Мікросхема, оптоізолятор, оптопара Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection, Hig..
24.00грн
H15R1203=IHW15N120R3 /TO-247 Infineon
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 30(45)A, 254W ..
95.00грн
H200F-1C-DC12V
Реле з обмоткою на 12V, контакти на перемикання 7А/250VAC-10VDC ..
25.00грн
H20R1202 /TO-247
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 40(60)A, 330W ..
155.00грн
H20R1202 /TO-247 /Infinion/China
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 40(60)A, 330W Reverse Conducting IGBT..
60.00грн
H20R1203=IHW20N120R3 /TO-247 Infineon
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 40(60)A, 310W ..
90.00грн
H20R1203=IHW20N120R3 /TO-247 Infineon/China
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 40(60)A, 310W ..
68.00грн
H20R1353=IHW20N135R3 /TO-247 Infineon/China
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1350V, 40(60)A, 310W ..
55.00грн
H25R1202=IHW25N120R2 /TO-247 Infinion
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 365W, 50(75)A, 1200V. Має захисний діод  ..
60.00грн
H25R1203=IHW25N120R3 /TO-247 Infinion
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 310W, 40(60)A, 1200V. Має захисний діод ..
58.00грн
H30R1202 /TO-247
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 60(90)A, 390W ..
198.00грн