Замовити
Ukrainian English
Категорії ☰
Категорії
Показати більше...
Показати менше...

Пошук

Пошук:



Товари, що відповідають критеріям пошуку

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 35W, 10(30)A, 600V. RDS(ON)=0.94 Ohm @VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 35W, 10(30)A, 250V. RDS(ON)=0.52 Ohm @VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 35W, 721)A, 600V. RDS(ON)=1.3 Ohm @VGS = 10V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 40W, 7(21)A, 800V. RDS(ON)=1.64 Ohm @VGS = 10V ..
 
Збірка на двох польових транзисторах N-Ch для використання у схемах керування Li-Ion батареями ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 37W, 4(15)A, 600V. RDS(ON)=2.3 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий N-Channel MOSFET. Applications: • Uninterruptible Power Supply(UPS..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 62.5W, 50(100)A, 30V. RDS(ON)=0.013 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 62.5W, 60(100)A, 30V. RDS(ON)=0.011 Ohm @V..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 300V, 30(200)A. Для плазмових ТВ ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 140W, 200Apulsed, 360V. Для плазмових TV ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 140W, 200Apulsed, 360V. Для плазмових TV ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 140W, 200Apulsed, 360V. Для плазмових TV ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 30(200)A ..
 
 Транзистор IGBT структури N-Channel  MOS: 75W, 30(100)A, 600V. N CHANNEL MOS TYPE ( TH..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 300V, 45(200)A. Для плазмових ТВ ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 300V, 45(200)A. Для плазмових ТВ ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 400V, 45(200)A. Для плазмових ТВ ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 30(45)A, 254W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 40(60)A, 330W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 40(60)A, 310W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1350V, 40(60)A, 310W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1350V, 60(90)A, 349W ..