Замовити
Ukrainian English
Категорії ☰
Категорії
Показати більше...
Показати менше...

Пошук

Пошук:



Товари, що відповідають критеріям пошуку

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Два діоди Шоткі зі спільним катодом. Для імпульсних БЖ ..
 
Два діоди Шоткі зі спільним катодом. Для імпульсних БЖ ..
 
Два діоди Шоткі зі спільним катодом. Для імпульсних БЖ ..
 
Два діоди Шоткі зі спільним катодом. Для імпульсних БЖ ..
 
Транзистор кремнієвий NPN із захисним діодом та резистором 65 Ом у колі база-емітер, 38W, 6(9)A, 700..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 35W, 5(10)A, 600(1200)V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 95W, 4(14)A, 600V. RDS(ON)=2.0 Ohm @VGS = 10V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 51W, 12(48)A, 600V. RDS(ON)=0,7 Ohm @VGS =..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 51W, 12(48)A, 650V. RDS(ON)=0,85 Ohm @VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 50W, 15(60)A, 600V. RDS(ON)=0.23 Ohm @VGS = 10V..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 360V, 30(200)A, розсіювання на колекторі -..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 300V, 30A  ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. Для плазмових ТВ ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 500V, 300A, 45W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 630V, 40(100)A, 50W ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 40W, 10(38)A, 600V. RDS(ON)=0.75 Ohm @VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 34.5W, 21(63)A, 560V. RDS(ON)=0.19 Ohm @VGS = 1..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 35W, 1.8(12)A, 800V. RDS(ON)=5.0 Ohm @VGS = 10V..