Замовити
Ukrainian English
Категорії ☰
Категорії
Показати більше...
Показати менше...

Пошук

Пошук:



Товари, що відповідають критеріям пошуку

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 35W, 10(30)A, 600V. RDS(ON)=0.94 Ohm @VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 35W, 10(30)A, 250V. RDS(ON)=0.52 Ohm @VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 35W, 721)A, 600V. RDS(ON)=1.3 Ohm @VGS = 10V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 40W, 7(21)A, 800V. RDS(ON)=1.64 Ohm @VGS = 10V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 37W, 4(15)A, 600V. RDS(ON)=2.3 Ohm @VGS = ..
 
Випрямляч на двох діодах Шоткі зі спільним катодом. 2х20A, 100V ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 300V, 30(200)A. Для плазмових ТВ ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 30(200)A ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 300V, 45(200)A. Для плазмових ТВ ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 300V, 45(200)A. Для плазмових ТВ ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 400V, 45(200)A. Для плазмових ТВ ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 60W, 10(40)A, 800V. RDS(ON)=0,72 Ohm @VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 100W, 6(24)A, 600V. RDS(ON)=1,2 Ohm @VGS = 10V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 125W, 7(28)A, 600V. RDS(ON)=1,2 Ohm @VGS = 10V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 8(32)A, 800V. RDS(ON)=1,55 Ohm @VGS = 10V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET  9(36)A, 900V. RDS(ON)=0,005 Ohm @VGS = 10..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 34,7W, 31,2(99,6)A, 650V. RDS(ON)=0,099 Ohm @VG..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 47W, 43(170)A, 100V. RDS(ON)=0,0079 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 54W, 20(110)A, 100V. RDS(ON)=0,052 Ohm @VGS = 1..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 35W, 3,7(15)A, 400V. RDS(ON)=1.0 Ohm @VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 40W, 5.4(22)A, 400V. RDS(ON)=0,55 Ohm @VGS = 10..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 40W, 4.6(18)A, 500V. RDS(ON)=0,85 Ohm @VGS = 10..
 
Транзистор польовий структури P-Channel  MOSFET 30W, -3(-12)A, -200V. RDS(ON)=1,5 Ohm @VGS = -1..
 
Транзистор польовий структури P-Channel  MOSFET 35W, -4.1(-16)A, -250V. RDS(ON)=1.0 Ohm @VGS = ..