Замовити
Ukrainian English
Категорії ☰
Категорії
Показати більше...
Показати менше...

Пошук

Пошук:



Товари, що відповідають критеріям пошуку

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 470W, 26(100)A, 600V. RDS(ON)=0.21 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 500W,  Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)t..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 470W, 209(840)A, 75V. RDS(ON)=0.0045 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 340W, 120(850)A, 75V. RDS(ON)=0.0033 Ohm  ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 280W, 200(840)A, 60V. RDS(ON)=0.0024 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 460W, 32(130)A, 600V. RDS(ON)=0.135 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 150W, 11(44)A, 400V. RDS(ON)=0.550 Ohm  ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 150W, 8.7(35)A, 400V. RDS(ON)=0.8 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 280W, 23(92)A, 400V. RDS(ON)=0.2 Ohm @VGS ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 370W, 180(670)A, 100V. RDS(ON)=0.0037 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 310W, 78(330)A, 150V. RDS(ON)=0.0155 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 360W, 57(230)A, 250V. RDS(ON)=0.033 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 190W, 14(45)A, 500V. RDS(ON)=0.33 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 190W, 14(56)A, 500V. RDS(ON)=0.4 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 190W, 72(300)A, 100V. RDS(ON)=0.014 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 520W, 93(370)A, 250V. RDS(ON)=0.0175  ..
 
Транзистор польовий структури P-Channel  MOSFET 150W, -12(-48)A, -200V. RDS(ON)=2.0 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 180W, 11(44)A, 600V. RDS(ON)=0.8 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 190W, 7.8(31)A, 800V. RDS(ON)=1.2 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 150W, 4.7(19)A, 900V. RDS(ON)=2.5 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 190W, 6.7(27)A, 900V. RDS(ON)=1.6 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 450W, 30(120)A, 600V. RDS(ON)=0.160 Ohm ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 13(52)A, 60W. UltraFast ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 31(120)A, 100W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 31(120)A, 100W INSULATED GATE BIPOLAR ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 23(92)A, 100W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 23(92)A, 100W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 70(280)A, 200W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 70(280)A, 200W INSULATED GATE BIPOLAR ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 55(220)A, 200W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 55(220)A, 200W INSULATED GATE BIPOLAR ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 55(220)A, 200W INSULATED GATE BIPOLAR ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 55(220)A, 200W, Безсвинцевий INSULATED..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 900V, 51(204)A, 200W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 20(40)A, 100W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 20(40)A, 100W INSULATED GATE BIPOLAR ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 160W, 21A(82A), 1200V  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIST..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 45(90)A, 200W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 200W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 200W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 40(120)A, 300W INSULATED GATE BIPOLAR..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 60(120)A, 308W INSULATED GATE BIPOLAR ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 48(96)A, 250W INSULATED GATE BIPOLAR T..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 75(200)A, 300W ..