Категорії ☰
Категорії
Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 540mW, 1.2A, 20V,  0.25Ω  ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 1.25W, 4.2A, 20V, RDS(on) = 0.045Ω ..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 1.3W, -4.3(34)A, -12V. Ultra Low On-..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 1.3W, 5.3(21)A, 30V, RDS(on) max (@VGS = 4..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 540mW, 1.2(5.3)A, 30V, 0.25Ω   ..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 1.25W, -3(-24)A, -30V. RDS(on) max (..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 0.54W, -0.78(4.9)A, -20V, 0.60 ..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 1.3W, -3.7(22)A, -20V, RDS(on) = 0.0..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 54mW, -0.76(-4.8)A, -30V, 0.60..
 
Транзистор польовий структури N-Channel MOSFET 2.5W,9.9(79)A, 30V, 0.0146 Ω ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 49W, 9.2(32)A, 30V, RDS(on) = 0.22Ω ID = 9..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 1W, 2A, 55V, RDS(on) = 0.14Ω ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 45W, 17(72)A, 55V. RDS(on) = 0.065Ω ID = 17A ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 43W, 5.6(18)A, 100V. RDS(ON)=0.54Ω @VGS = 5V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 1W, 4.6A, 30V, RDS(on) = 0.031Ω ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 107W, 55(200)A, 30V. RDS(on)≤19mΩ ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 71(140)W, 161(620)A, 30V. RDS(ON)=3.3mΩ  ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 2W, 1.5A, 100V, RDS(on) (Ω) VGS = 5.0 V 0.54 ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 75(38)W, 86(340)A, 30V. RDS(on) =5.8m@VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 110W, 47(160)A, 55V, :22mΩ. Керування &nbs..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 1W, 3.1A, 55V, RDS(on) = 0.065Ω ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 1W, 3.8A, 55V, RDS(on) = 0.04Ω ..
 
Потужний польовий транзистор за технологією HEXFET Power MOSFET. Drain-to-Source Voltage 30V max,&nb..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 110W, 47(160)A, 55V, :22mΩ. Керування &nbs..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 43W, 5.6(18)A, 100V. RDS(ON)=0.54Ω @VGS = 5V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 110W, 47(160)A, 55V, :22mΩ. Керування &nbs..
 
Транзистор структури/технології HEXFET Power MOSFET із захистом. Параметри: VDSS-20V, RDS(on)-..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 110W, 47(160)A, 55V, :22mΩ. Керування &nbs..
 
Транзистор польовий  структури N-Channel  MOSFET, 30V, 260A. Основне призначення - перетво..