Категорії ☰
Категорії
Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Транзистор кремнієвий NPN, 200mW, 0.2A, 50V, Має вмонтовані резистори: вивід бази-база 10к, баз..
 
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 10 k. 250mW, 0.1A,50V ..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 250mW, 0.1A, 50V, Має вмонтовані резистори: вивід бази-база 47к, баз..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 250mW, 0.1A, 45V, Має вмонтовані резистори: вивід бази-база 47к ..
 
Транзистор кремнієвий PNP, 500mW, -100mA, -50V. Має вбудовані резистори зміщення : вхід-база -4..
 
Кремнієвий NPN-транзистор інтегрований із резисторами зміщення: R1 - вхід-база - 10k, R2 - база-еміт..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 500mW, 100mA, 50V. Має вмонтовані резистори зміщення: вивід бази-база 22к..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 1000mW, 500mA, 10V. Має вмонтований резистор 10к між виводом бази і базою..
 
Транзистор кремнієвий PNP, 230mW, -100mA, -50V. Має вмонтовані резистори: вивід бази-база 10к, база-..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 250mW, 100mA, 50V. Має вмонтовані резистори: вивід бази-база 22к, база-ем..
 
Транзистор кремнієвий PNP, 500mW, -100mA, -50V. Має вбудовані резистори зміщення : вхід-база, б..
 
Транзистор кремнієвий PNP,150mW, -100mA, -50V. Має вмонтовані резистори: вивід бази-база 4.7к, база-..
 
Транзистор кремнієвий PNP, 500mW, -100mA, -50V. Має вмонтовані резистори: вивід бази-база 47к, база-..
 
Транзистор кремнієвий PNP, 500mW, -100mA, -50V. Має вбудовані резистори зміщення : вхід-база -4..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 500mW, 100mA, 50V. Має вмонтовані резистори зміщення: вивід бази-база 22к..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 200mW, 50mA, 50V. Має вмонтовані резистори: вивід бази-база 10к, база-емі..
 
NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR. 625mW, 2.5A,20V ..
 
Транзистор кремнієвий PNP, 500mW, -100mA, -50V. Має вбудовані резистори зміщення : вхід-база, база е..
 
Пара польових (N-Channel) транзисторів зі спільним стоком. 1W, 6(30)A, 20V ..
 
Пара польових (N-Channel) транзисторів зі спільним стоком. 1W, 6(30)A, 20V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 2.5W, 10.2A, 30V, 14mΩ ..
 
Транзистор кремнієвий PNP, 200mW, -100mA, -50V. Має вмонтовані резистори: вивід бази-база 4.7к, база..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 500mW, 100mA, 50V. Має вмонтований резистор: вивід бази-база 47к ..
 
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor. 2.2 A, 30 V, RDS(ON) = 0.065 Ω ..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 500mW, -1.6(-5)A, 20V, RDS(ON) = 0.1..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 180A, 400V. RECOMMEND CONDITION VCM = 330V IP = 160A CM =..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 1.2(2.5)W, -8.8(50)A, -30V. RDS(on) ..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 1,6(52)W, -40(-100)A, -30V ..
 
Комплементарна пара NPN-PNP кремнієвих транзисторів зі спільним емітером. 0.9(1.2)W, +/-3(6)A (..
 
Польовий транзистор структури N-channel MOS FET з покращеними параметрами ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 6.3(20)W, 1.6(0.8)A, 30V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 1(2.5)5W, 14.5(50)A, 30V. RDS(ON) max= 6.0 mΩ @..
 
Транзистор (два у корпусі) польовий структури N-Channel  MOSFET 0.9(1,6)W, 7.5(20)A, 30V. RDS(O..
 
Транзистор кремнієвий NPN, 0.625(0,806)W, 3A(12A), 15V.  LOW SATURATION TRANSISTOR. R..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 165W, 75A, 30V.  rDS(ON) = 0.0075Ω ..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 7.8W, -29A, -30V, RDS(on) (Ω) 0..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 1.2(2.5)W, -8.8(50)A, -30V. RDS(on) ..
 
Транзистор польовий структури P-Channel  MOSFET 1.2(2,5)W, -11(-55)A, -30V. Features • Max..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 1.2(2,5)W, -13(-50)A, -30V. Features..
 
Транзистор польовий  структури P-Channel  MOSFET 0,8(1,6)W, -4(-20)A, -20V. „ Max rDS..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 2.5W, 3.5A, 30V, RDS(ON) max= 11.5 mΩ @ VG..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET (2.5)W, 11 A, 30 V. RDS(ON) = 12.5 mΩ @ VG..