Замовити
Ukrainian English
Категорії ☰
Категорії
Показати більше...
Показати менше...

Пошук

Пошук:



Товари, що відповідають критеріям пошуку

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Два діоди зі спільним катодом - 2х25A, 600V, 23ns Ultrafast, Soft Recovery Diode ..
 
Транзистор структури IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 54(96)A, 167W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 75(240)A, 463W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 75(240)A, 463W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 60(220)A, 208W ..
 
Транзистор польовий 75A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 30A, 250W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 80(120)A, 305W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 75(105)A, 270W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 75(105)A, 270W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 100(200)A, 333W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 650V, 80(200)A, 275W ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 391W, 53(159)A, 650V. RDS(ON)=0.07Ohm  ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 391W, 43.3(137)A, 700V. RDS(ON)=0.08 Ohm ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 230W, Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014oh..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 230W, Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014oh..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 230W, Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014oh..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 200W, Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008oh..