Замовити
Ukrainian English
Ми не будемо працювати з 18.04.2025 по 25.04.2025.
Категорії ☰
Категорії
Показати більше...
Показати менше...

Пошук - 2024/12/02

Пошук:



Товари, що відповідають критеріям пошуку

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 60W, 20(30)A, 600V. Нормавана стійкість до К.З. 10 мкс ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 200W, 20(60)A, 600V. VERY FAST ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 80W, 14(56)A, 600V. Має захисний діод. VERY FAST ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 80W, 25(50)A, 600V. Має захисний діод ULTRAFAST ..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 65W, 15(30)A, 600V. Нормавана стійкість до К.З.10 мкс ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 176W, 100(400)A, 80V. RDS(ON)=0.009 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 115W, 10(36)A, 600V. RDS(ON)=0.65 Ohm @VGS = 10..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 176W, 110(440)A, 68V. RDS(ON)=0.0065 Ohm @VGS =..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 200W, 110(440)A, 80V. RDS(ON)=0.0065 Ohm @VGS =..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 200W, 110(440)A, 80V. RDS(ON)=0.0065 Ohm @VGS =..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 110W, 9(36)A, 400V. RDS(ON)=0.49 Ohm @VGS = 10V..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 208W, 120(480)A, 80V. RDS(ON)=0.006 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 300W, 80(320)A. RDS(ON)=0,007 Ohm @VGS = 10V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 300W, 80(320)A, 55V. RDS(ON)=0.008 Ohm @VGS = 1..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 310W, 120(480)A, 75V. RDS(ON)=0,075 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 310W, 120(480)A, 75V. RDS(ON)=0,075 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 315W, 120(480)A, 75V. RDS(ON)=0,0045 Ohm @VGS =..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 45W, 16(64)A, 60V. RDS(ON)=0,1 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 315W, 120(480)A, 100V. RDS(ON)=0,0045 Ohm @VGS ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 110W, 12(48)A, 650V. RDS(ON)=0,33 Ohm @VGS = 10..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 110W, 15(60)A, 710V. RDS(ON)=0,22 Ohm @VGS = 10..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 110W, 13(52)A, 600V. RDS(ON)=0,285 Ohm @VGS = 1..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 300W, 120(480)A, 40V. RDS(ON)=0,0038 Ohm @VGS =..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 300W, 120(480)A, 75V. RDS(ON)=0.0037 Ohm @VGS =..