Замовити
Ukrainian English
Категорії ☰
Категорії
Показати більше...
Показати менше...

Пошук

Пошук:



Товари, що відповідають критеріям пошуку

Показувати: Список / Сітка
Відображати:
Сортування
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 165W, 75A, 30V.  rDS(ON) = 0.0075Ω ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 145W, 38A, 100V. RDS(ON)=0,035 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 148W, 80(320)A, 68V. RDS(ON)=0,0065 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 148W, 80(320)A, 68V. RDS(ON)=0,0065 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 174W, 85(340)A, 75V. RDS(ON)=0.007 Ohm @VGS = 1..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 120(380)A, 60V. RDS(ON)=0,006 Ohm @VGS = 10V ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 188W, 120(380)A, 60V. RDS(ON)=0,006 Ohm @VGS = ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 185W, 90(360)A, 80V. RDS(ON)=0,007 Ohm @VGS = 1..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 258W, 230(880)A, 60V. RDS(ON)=0,0023 Ohm @VGS =..
 
Транзистор кремнієвий N-channel IGBT, 110W, 20(30)A, 600V Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldst..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 30A, 250W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 80(120)A, 305W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT. 600V, 20/40/80A, 85/170W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 60(120)A, 187W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 75(105)A, 270W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 1200V, 75(105)A, 270W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 600V, 100(200)A, 333W ..
 
Потужний транзистор структури IGBT з каналом N-типу. 650V, 80(200)A, 275W ..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 34W, 21(61)A, 650V. RDS(ON)=0.165 Ohm @VGS = 10..
 
Транзистор польовий структури N-Channel  MOSFET 34,7W, 31,2(99,6)A, 650V. RDS(ON)=0,099 Ohm @VG..